Em seu recente Intel Connection, realizado no Japão, a Intel revelou o primeiro protótipo da memória Z-Angle Memory (ZAM), voltada para data centers de alta performance. Em parceria com a Saimemory — divisão da Softbank —, a empresa buscou uma solução para superar limitações de densidade e consumo energético que afetam as memórias do tipo HBM.

Com arquitetura que dispõe de trilhas diagonais para otimizar a interconexão dos chips, a ZAM promete oferecer até 512 GB de capacidade por módulo e reduzir o consumo de energia em até 50%. Segundo a Intel, o design facilita a dissipação de calor, aumentando a eficiência operacional em ambientes corporativos.

Aplicações corporativas e viabilidade

A tecnologia foi desenvolvida para atender a demandas intensas, como modelos de inteligência artificial treinando em larga escala, processamento de pacotes em redes de alta velocidade e serviços de busca em nuvem. A companhia ressalta que, assim como as memórias HBM não ganharam espaço em PCs tradicionais, a ZAM também deve permanecer restrita ao mercado corporativo.

Em um momento em que a escalabilidade das memórias convencionais se aproxima dos limites físicos, especialmente com processos de 2 nm, a ZAM representa um avanço para viabilizar módulos mais densos e rápidos. No estande da Intel, executivos destacaram a importância de soluções de memória para sustentar a próxima geração de IA e infraestrutura de nuvem.

Embora a Intel não reivindique a invenção exclusiva do conceito Z-Angle Memory, ela lidera o investimento inicial e as decisões estratégicas do projeto. A tecnologia ainda está em fase experimental e não há previsão de quando será incorporada em larga escala pela indústria.

Imagem: PCWatch

Com essa iniciativa, a Intel busca recuperar a liderança global tanto no design de silício quanto na fundição, reforçando sua estratégia de oferecer plataformas completas para data centers e aplicações de alto desempenho.




Com informações de Canaltech